허페이 CXMT 반도체 공장 (허페이=연합뉴스) 차병섭 특파원 = 5일(현지시간) 중국 안후이성 허페이에 위치한 CXMT 본사·공장 건물 앞에 회사 로고가 설치되어 있다

중국 샤오미의 차세대 모바일 프로세서에 현지 최대 D램 업체인 창신메모리(CXMT)의 6세대 저전력 메모리가 탑재될 것으로 알려지면서 중국 반도체 업계의 기술 추격이 거세지고 있다.

신경보 등 중국 현지 언론들은 공급망 관계자의 발언을 인용해 샤오미가 최근 선보인 플래그십 시스템온칩(SoC) 'XRING O3(중국명 쉬안제 O3)'에 CXMT의 차세대 LPDDR6 D램이 적용된다고 보도했다. XRING O3는 모바일 AP 위에 D램을 샌드위치처럼 수직 적층하는 패키지온패키지(PoP) 방식을 채택했으며, LPDDR6 메모리 표준을 지원하도록 설계된 모바일 프로세서다.

이번 양사 협력이 실제로 성사되면 중국 반도체 기업이 제조한 LPDDR6 D램이 상용 모바일 기기에 적용되는 첫 번째 사례가 된다. 현지 매체에 따르면 CXMT는 지난 3월 핵심 거래선에 LPDDR6 샘플을 전달한 데 이어 이달 들어 검증 작업을 사실상 마무리하는 단계에 들어섰다. CXMT가 개발한 제품은 단일 다이 기준 16Gb(기가비트), 패키지 단위 16GB(기가바이트) 용량을 갖췄으며 최대 1만 2,800Mbps의 동작 속도를 구현한다.

이번 행보는 메모리 반도체 주도권을 잡기 위해 속도를 내던 한국과 미국의 글로벌 주요 업체들에도 적지 않은 파장을 미칠 것으로 보인다.

SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 미세 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 개발을 완료하고 연내 양산 체제에 돌입하겠다고 발표한 바 있다. 삼성전자 역시 올해 초 관련 제품을 공개했으나 구체적인 대량 생산 일정을 밝히지 않았고, 미국 마이크론 또한 시장 수요 이동을 전망하면서도 구체적인 개발 진전 현황은 내놓지 않았다.

반도체 업계에서는 기술 우위를 점한 한국 메모리 업체들이 CXMT의 시장 확대를 견제하기 위해 샤오미 등 중국 주요 스마트폰 제조사에 차세대 D램을 우선 공급할 수 있다는 관측이 나오기도 했다. 그러나 CXMT가 샤오미와의 밀착 행보를 통해 칩셋 탑재 검증을 빠르게 진행하면서 첨단 저전력 메모리 시장을 둘러싼 기술 경쟁은 한층 격화될 전망이다.

한편 샤오미의 XRING O3 칩셋은 대만 TSMC의 3나노 미세 공정을 거쳐 생산되며, 차세대 플래그십 폴더블 스마트폰에 우선적으로 탑재될 예정이다. 샤오미는 자체 기술 설명회에서 해당 프로세서가 사상 처음으로 벤치마크 점수 520만 점을 돌파하며 역대 최우수 성능을 기록했다고 밝혔다.