▲ 삼성전자 3나노 파운드리 양산에 참여한 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 주역들이 손가락으로 3을 가리키며 3나노 파운드리 양산을 축하하고 있다. (사진 = 업체 제공)

삼성전자가 지난해 실적 부진에도 53조원 이상을 투자하며 역대급 투자 규모를 이어갔다. 삼성전자는 반도체 업황 반등이 예고된 올해에도 이 이상 투자를 단행해 미래 경쟁력을 거머쥘 방침이다. 

삼성전자는 지난해 4분기 16조4000억원을 비롯해 연간 53조1000억원 규모의 시설투자를 단행했다.

이는 분기 투자금액으로 역대 최대였던 2022년 4분기 20조2000억원에 이은 두 번째 규모다. 삼성전자는 연간으로 53조1000억원을 투자하며 역대 최대였던 2022년과 동등한 투자 집행에 나섰다.

사업별로는 반도체(DS) 14조9000억원, 디스플레이 8000억원 수준이다. 연간으로는 반도체 48조4000억원, 디스플레이 2조4000억원 수준을 집행했다.

메모리의 경우 지난해 4분기 중장기 수요 대응을 위한 클린룸 확보 목적의 평택 투자, 기술 리더십 강화를 위한 R&D 투자 확대와 함께 고대역폭메모리(HBM)·DDR5 등 첨단공정 생산 능력을 확대하기 위한 투자가 지속됐다.

파운드리(반도체 위탁생산)는 EUV(극자외선)를 활용한 5나노 이하 첨단공정 생산 능력 확대와 미국 테일러 공장 인프라 투자로 전년 대비 연간 투자가 더 늘었다. 디스플레이는 올레드(OLED·유기발광다이오드) 및 플렉시블 제품 대응 중심으로 투자가 집행됐다.

R&D로 보면 4분기 7조5500억원으로 역대 분기 최대이며, 연간으로도 28조3400억원으로 기존 최대였던 2022년 24조9200억원을 뛰어넘었다. 삼성전자의 지난해 R&D 투자액은 영업이익 6조5700억원의 4배가 넘는 규모다.

메모리·IT 수요 회복 기대…AI제품 시장 선점 추진

삼성전자는 올해에도 미래 경쟁력 확보를 위한 시설투자 및 R&D 투자를 꾸준히 이어갈 방침이다. 특히 인공지능(AI) 열풍으로 수요가 늘어난 고대역폭메모리(HBM) 연구 및 개발에 박차를 가한다.

올해 메모리 시황과 IT 수요 회복이 확실시 돼 AI 반도체에 적극 대응하고, AI 탑재 제품 시장 선점도 노린다. 아울러 프리미엄 리더십과 선단 공정 경쟁력 강화도 차근차근 병행할 방침이다.

D램의 경우 업계 최초로 개발한 현존 최대 용량의 1b나노 32기가비트 DDR5 도입을 통해 고용량 DDR5 시장에서 리더십을 제고한다. 생성형 AI 확산으로 HBM 성능 및 용량에 대한 시장 요구가 고도화되고 있는 가운데 차세대 HBM3E의 적기 양산 사업화 및 하반기 3E 12H로의 전환을 가속화한다.

파운드리는 수율 개선과 2세대 3나노 GAA(게이트올어라운드) 공정 최적화에 집중하고 있으며, HBM 및 첨단 패키징을 포함한 2나노 AI 가속기를 확보해 미래를 준비하고 있다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "지난해 HBM의 시설투자를 2.5배 이상 늘렸는데 올해도 그 정도 수준을 예상하고 있다"며 "올해 메모리 시장은 누가 AI에 잘 대응하는지가 핵심"이라고 밝혔다.

미국 반도체산업협회(SIA)에 따르면 올해 전 세계 반도체 매출은 지난해보다 13.1% 증가할 전망이다.