▲ 세계 최대 규모의 반도체 공장인 삼성전자 평택캠퍼스 전경. 이 라인에서 EUV 공정을 적용한 첨단 모바일 D램이 생산된다. (사진 = 삼성전자 제공)

미국이 오는 2032년 전 세계 첨단 반도체 시장의 4분의 1 이상을 차지할 것이라는 분석이 나왔다. 미국 정부가 반도체 지원법을 앞세워 첨단 반도체 생산시설을 자국으로 끌어 모으고 있는 것이다.

이에 대해 반도체 전문가들은 첨단 반도체 패권을 가져오겠다는 미국의 야심이 진행되고 있다는 방증이라며 한국 반도체 기업들은 미국보다 한국 위주로 생산시설을 늘려야 한다고 지적한다.

10일 미국반도체산업협회(SIA)와 보스턴 컨설팅 그룹(BCG)의 '반도체 공급망의 새로운 회복 탄력성' 보고서에 따르면 미국의 10나노미터 이하 공정의 첨단 반도체 생산 점유율은 지난 2022년 0%에서 2032년 28%로 크게 늘어날 전망이다.

반면, 이 시장에서 2위인 한국은 같은 기간 점유율이 31%에서 9%로 급감해 미국에 추월 당할 것으로 보인다. 1위 대만도 69%에서 47%로 하락한다. 2032년 미국과 대만의 첨단 반도체 생산 점유율 격차는 19%로 좁혀질 전망이다.

2032년 미국의 반도체 생산능력 증가율은 2022년 대비 3배 수준(203%)으로 증가하고, 생산 점유율은 10%에서 14%로 늘어날 것으로 추정된다.

보고서는 미국 정부의 반도체 지원법으로 인해 미국이 이 같이 반도체 생산 점유율을 높일 수 있다고 분석했다. 대규모 보조금에 힘입어 인텔을 비롯해 TSMC와 삼성전자 등이 미국에 첨단 반도체 생산시설 건설 규모를 확대하고 있다.

업계에서는 이번 보고서 결과에 대해 글로벌 첨단 반도체 패권을 가져오겠다는 미국의 명확한 의지가 드러난 것으로 본다.  AI와 관련한 제품·서비스에는 미세공정의 칩이 필요한 만큼 향후 모든 미래 산업의 주도권을 쥐겠다는 뜻으로 풀이된다.

미국은 현재 소프트웨어(SW)·반도체 설계에서 독보적 위치를 차지하고 있는데, 첨단 반도체 제조 역량까지 갖추면 첨단 반도체 분야는 미국 중심의 시장이 될 가능성이 크다. 

이에 향후 한국 기업들의 미국 생산시설 확대가 지금보다 더 커지면 미국 정부의 정책 변화와 지정학적 이슈 등에 따라 반도체 산업 영향을 크게 받을 것이라는 우려도 나온다.

삼성전자는 170억 달러에서 450억 달러로 미국 투자 규모를 늘려 텍사스주 테일러에 2나노·4나노 공정의 생산시설 2곳을 짓는다.

SK하이닉스도 38억7000만 달러를 투자해 인디애나주 첨단 패키징 공장을 짓고 2028년부터 고대역폭메모리(HBM) 6세대인 HBM4를 양산한다. SK하이닉스의 경우 파운드리 공정이 주력은 아니지만, 미국 정부의 첨단 반도체 정책 영향에서 자유로울 수 없다.

이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 "이번 보고서는 단순한 계획이 아닌, 다른 국가들이 넘보지 못하도록 만들기 위한 씨앗부터 시작된 미국의 철저하면서도 무서운 의도가 담긴 것"이라고 말했다.